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無塵無氧烘箱在晶圓級(jí)封裝工藝的應(yīng)用

更新時(shí)間:2023-03-20   點(diǎn)擊次數(shù):1147次

無塵無氧烘箱在晶圓級(jí)封裝工藝的應(yīng)用

晶圓級(jí)封裝工藝流程:


1、涂覆第一層聚合物薄膜,以加強(qiáng)芯片的鈍化層,起到應(yīng)力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)。


2、重布線層(RDL)是對(duì)芯片的鋁/銅焊區(qū)位置重新布局,使新焊區(qū)滿足對(duì)焊料球最小間距的要求,并使新焊區(qū)按照陣列排布。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規(guī)劃RDL的線路圖形,最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。


3、涂覆第二層聚合物薄膜,是圓片表面平坦化并保護(hù)RDL層。在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區(qū)位置。


4、凸點(diǎn)下金屬層(UBM)采用和RDL一樣的工藝流程制作。


5、植球。焊膏和焊料球通過掩膜板進(jìn)行準(zhǔn)確定位,將焊料球放置于UBM上,放入回流爐中,焊料經(jīng)回流融化與UBM形成良好的浸潤結(jié)合,達(dá)到良好的焊接效果。


  以上聚合物薄膜工藝中的PI/BCB/PBO聚合物固化過程中無塵無氧烘箱是必要的生產(chǎn)設(shè)備。

無塵無氧烘箱技術(shù)要求:


溫度范圍:RT+50~350/450/550℃

工作室尺寸(cm):W50×D50×H50;可定制

氧含量指標(biāo):≤ 50ppm ,實(shí)時(shí)檢測(cè)

潔凈度:class100/1000

控溫方式:曲線升溫模式;

控溫段數(shù):多段數(shù),多工藝;

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輔助降溫:風(fēng)冷/水冷等快速降溫裝置


真空無塵無氧烘箱

溫度范圍:RT+50~350/450/550℃

工作室尺寸(cm):W50×D50×H50;可定制

氧含量指標(biāo):≤ 50ppm,實(shí)時(shí)檢測(cè)

潔凈度:class100/1000

控溫方式:曲線升溫模式;

控溫段數(shù):多段數(shù),多工藝;

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輔助降溫:風(fēng)冷/水冷等快速降溫裝置

真空度:1torr

真空泵:渦旋無油泵


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