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HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備

HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備

簡要描述:

HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備通過對烘箱預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備簡介:

HMDS鍍膜機,黃光區鍍膜設備通過對烘箱預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

的重要性:

在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

技術參數:

1設備名稱

HMDS預處理系統

2、設備型號

JS-HMDS90

3、設備主要技術參數                                                          

3.1 工作室尺寸

 450×450×450(mm) 可選其他數據

3.2  材質

 外箱采用304不銹鋼,內箱采用316L醫用級不銹鋼

3.3 溫度范圍

 RT+10-250℃

3.4 溫度分辨率

 0.1℃

3.5 溫度控制精度

 ±0.3%

3.6 真空度

 133pa(1torr)

3.7 潔凈度

 class 100,設備采用無塵材料,適用100級光刻間凈化環境

3.8電源及總功率

 AC 220V±10% / 50HZ       總功率約2.0KW    

3.9 控制儀表

 人機界面

3.10擱板層數

 2層

3.11 HMDS流量控制

 可控制HMDS流量

3.11真空泵

 油泵或干泵

3.12 保護裝置

 漏電保護,過熱保護

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